2023-05-11
硅溶膠的應(yīng)用會(huì)影響環(huán)境嗎?
硅溶膠主要由二氧化硅顆粒和水組成,被列為環(huán)?;ぎa(chǎn)物之一,二氧化硅是沙子,應(yīng)時(shí)和晶體主要是無(wú) 毒無(wú)味的礦物質(zhì),因此,硅溶膠不屬于有害化合物,二氧化硅廣泛應(yīng)用于食品工業(yè),如食品級(jí)二氧化硅粉作為食品填充劑和抗結(jié)劑,在果酒、飲料等食品加工行業(yè)里,為了提高產(chǎn)物的澄清度,經(jīng)常使用硅溶膠作為凝固劑,因此,硅溶膠是一種環(huán)境友好的化工產(chǎn)品。
2023-05-11
不同類型硅溶膠的穩(wěn)定性不同,堿性硅溶膠的穩(wěn)定性優(yōu)于性硅溶膠和酸性硅溶膠,貯存期較長(zhǎng),我公司堿性硅溶膠保存期可達(dá)2-3年以上,酸性硅溶膠保存期可達(dá)1年以上,大粒徑硅溶膠的貯存期比小粒徑硅溶膠的貯存期長(zhǎng)。
2023-02-13
硅溶膠應(yīng)用的要點(diǎn)是什么? 硅溶膠是納米二氧化硅的水分散體,納米粒子比表面積大,能產(chǎn)生良好的吸附。 硅溶膠的品種有:氨硅溶膠、堿性硅溶膠、酸性硅溶膠、鉀硅溶膠、無(wú)機(jī)改性硅溶膠、有機(jī)改性硅溶膠、電子級(jí)硅溶膠等,硅溶膠的應(yīng)用要點(diǎn) 1.選用的硅溶膠是酸性的,符合食品衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)。
2023-02-02
硅溶膠是納米二氧化硅顆粒在水或溶劑中的分散體,由于普通酸性硅溶膠中的SiO2含有大量的水及羥基,故普通酸性硅溶膠也可以表述為SiO2、nH2O。nH2O,制備硅溶膠有不同的途徑,常用的方法有離子交換法、金屬硅粉一步水解法、硅烷水解法等。
2023-01-21
硅溶膠屬膠體溶液,無(wú)臭、沒毒,二氧化硅溶膠是納米二氧化硅顆粒在水或溶劑中的分散體,由于硅溶膠中的SiO2含有大量的水及羥基,故硅溶膠也可以表述為SiO2、nH2O。 相對(duì)來(lái)說(shuō),硅粉一步水解法的工藝比較簡(jiǎn)單,在國(guó)內(nèi)被廣泛使用。然而,用該法制備的硅溶膠通常顆粒大小在10-20納米左右,顆粒間的界面不清晰,形貌為非球形且無(wú)法控制,顆粒間的界面不清晰,故通常只是被大量使用在鑄造等行業(yè)
2023-01-11
硅溶膠的制備方法是怎樣?下面我們來(lái)了解一下。 硅溶膠合成的簡(jiǎn)要過(guò)程是:砂石或二氧化硅還原為單體硅→于300%溫度下,以銅作催化劑,硅與甲基氯化物相互作用→形成甲基氯化硅的混合物(一元、二元或三元)→通過(guò)蒸餾分離出二甲基氯化硅→二甲基氯化硅水解成硅烷又迅速合成為線型或環(huán)型硅氧烷→線型硅氧烷在氫氧化鉀(KOH)的幫助下,形成四元雙甲基環(huán)狀體(D4)→在KOH存在下,D4聚合,鏈終止導(dǎo)致過(guò)程的
2023-01-04
在水泥中加入硅溶膠?硅溶膠也可用于基礎(chǔ)設(shè)施行業(yè)
在水泥中加入硅溶膠?硅溶膠也可用于基礎(chǔ)設(shè)施行業(yè) 硅溶膠被廣泛使用,沒想到硅溶膠可以加到水泥里,而且優(yōu)勢(shì)還不小,讓我們來(lái)看看!
2022-12-22
下面給大家講一講硅溶膠的保質(zhì)期和儲(chǔ)存條件
下面給大家講一講硅溶膠的保質(zhì)期和儲(chǔ)存條件 一、硅溶膠的保質(zhì)期 1.不同類型硅溶膠的穩(wěn)定性不同,堿性硅溶膠的穩(wěn)定性優(yōu)于中性硅溶膠和酸性硅溶膠,貯存期較長(zhǎng),我公司堿性硅溶膠保存期可達(dá)2-3年以上,酸性硅溶膠保存期可達(dá)1年以上,大粒徑硅溶膠的貯存期比小粒徑硅溶膠的貯存期長(zhǎng)。
2022-12-13
下面講一講硅溶膠pH值對(duì)其性能的影響 硅溶膠按其pH范圍可分為堿性硅溶膠(PH=8-11)、中性硅溶膠(pH=6-8)和酸性硅溶膠(pH=2-5),在不同pH范圍內(nèi)的儲(chǔ)存穩(wěn)定性不同,一般來(lái)說(shuō),堿性硅溶膠的儲(chǔ)存穩(wěn)定性更長(zhǎng),可達(dá)數(shù)年,這是因?yàn)閴A性中的納米二氧化硅顆粒表面具有帶負(fù)電荷和大zate電位的硅酸鹽結(jié)構(gòu),所以納米二氧化硅顆粒相互排斥,不易團(tuán)聚,所以能保持非常好的穩(wěn)定性。
2022-12-02
硅溶膠在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)領(lǐng)域的應(yīng)用
化學(xué)拋光技術(shù)是機(jī)械作用和化學(xué)作用的結(jié)合,其實(shí)它的微觀過(guò)程相當(dāng)復(fù)雜,影響因素很多。CMP設(shè)備、拋光墊、拋光液、后清洗設(shè)備、拋光終點(diǎn)檢測(cè)設(shè)備等,所有這些都對(duì)晶片的拋光質(zhì)量和拋光速率有重要影響。
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